電科芯片全力以赴攻克薄膜鈮酸鋰電光調制器技術難關,以期在行業(yè)內取得突破性進展。
針對薄膜鈮酸鋰調制器的研究,集成光學事業(yè)部成立了薄膜鈮酸鋰波導技術攻關突擊隊,重點開展低損耗薄膜鈮酸鋰光波導工藝優(yōu)化、薄膜鈮酸鋰相位調制器流片及測試,以及薄膜鈮酸鋰MZ調制器仿真設計工作。
技術攻關過程中,研發(fā)團隊遇到過許多預料之外的困難和挑戰(zhàn)。薄膜鈮酸鋰調制器的性能直接受到材料生長和刻蝕技術的影響,需要對材料的生長條件和刻蝕技術進行精準控制,這給團隊也帶來了不小的壓力。
面對技術難題,研發(fā)團隊從不氣餒,他們堅信,只要堅持不懈,總會找到解決問題的辦法。研發(fā)人員深入研究技術原理,查閱大量文獻資料,與同行深入交流,尋求靈感和啟示;同時不斷嘗試新的方法,調整實驗方案,反復驗證實驗結果。經(jīng)過大家的不懈努力,高線性薄膜鈮酸鋰電光調制芯片的關鍵技術部分終于取得突破性進展。
團隊將繼續(xù)以科技創(chuàng)新為抓手,努力開辟科技領域新賽道,不斷將科技成果轉化為新質生產(chǎn)力,為電科芯片的發(fā)展貢獻更多的力量。
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